Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные STW40NF20
Изображение служит лишь для справки
STW40NF20
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-247-3
- MOSFET N-CH 200V 40A TO-247
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-247-3
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：40A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：160W Tc
- Turn Off Delay Time：74 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：STripFET™
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：200V
- Current Rating：40A
- Base Part Number：STW40N
- Pin Count：3
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：160W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：20 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：45m Ω @ 20A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2500pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：75nC @ 10V
- Rise Time：44ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：22 ns
- Continuous Drain Current (ID)：40A
- Threshold Voltage：3V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain-source On Resistance-Max：0.045Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：200V
- Height：20.15mm
- Length：15.75mm
- Width：5.15mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты