SI5999EDU-T1-GE3

Name: Vishay Intertechnologies SI5999EDU-T1-GE3
Brand: Vishay Intertechnologies
Rating: 4.5 (20 reviews)

Vishay Intertechnologies
Транзисторы - Специального назначения
-
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.059ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, POWERPAK, CHIPFET-8
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：6
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：2
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Описание пакета：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, POWERPAK, CHIPFET-8
Максимальный ток утечки (ID)：6 A
Температура работы-Макс：150 °C
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Type of transistor：P-MOSFET
Polarisation：unipolar
Монтаж：THT
Kind of channel：enhanced
Код JESD-609：e3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：MATTE TIN
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：C BEND
Код соответствия REACH：compliant
Код JESD-30：R-PDSO-C6
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Сопротивление открытого канала-макс：0.059 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：20 A
Минимальная напряжённость разрушения：20 V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：10.4 W
Ток насыщения：1

Со склада 0

Итого $0.00000