SI7922DN-T1-GE3

Name: Vishay Intertechnologies SI7922DN-T1-GE3
Brand: Vishay Intertechnologies
Rating: 4.9 (10 reviews)

Vishay Intertechnologies
Транзисторы - Специального назначения
-
Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 100V, 0.195ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, 1212-8, POWERPAK-8
Date Sheet

Lagernummer 6

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：13 Weeks
Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：6
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：2
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Описание пакета：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, 1212-8, POWERPAK-8
Максимальный ток утечки (ID)：1.8 A
Температура работы-Макс：150 °C
Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
Форма упаковки：SQUARE
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Indicator type：ring
Класс защиты：IP65
Номинальный ток：5 A
Illumination voltage：12 V
Relative humidity：45...85 %
Номинальное напряжение：250 V
LED service life：≥40000 hours
Код JESD-609：e3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - annealed
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：C BEND
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Код соответствия REACH：compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Код JESD-30：S-XDSO-C6
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Сопротивление открытого канала-макс：0.195 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：10 A
Минимальная напряжённость разрушения：100 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：1.25 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：2.6 W
Ток насыщения：1
Контакты：4Pin+2Pin
Диаметр：32 mm

Со склада 6

Итого $0.00000