Изображение служит лишь для справки

SIR870ADP-T1-GE3

Lagernummer 3991

  • 1+: $1.58352
  • 10+: $1.49388
  • 100+: $1.40932
  • 500+: $1.32955
  • 1000+: $1.25429

Zwischensummenbetrag $1.58352

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Количество терминалов:5
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Материал наружного корпуса:1
  • Indicator type:dot
  • Класс защиты:IP65
  • Illumination voltage:12 V
  • Illuation color:redmin
  • Relative humidity:45...85 %
  • Номинальное напряжение:250 V
  • LED operating life:≥40000 hours
  • Рохс Код:Yes
  • Код цикла жизни компонента:Not Recommended
  • Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Описание пакета:HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8
  • Максимальный ток утечки (ID):60 A
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Форма упаковки:SMALL OUTLINE
  • Код JESD-609:e3
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:MATTE TIN
  • Положение терминала:DUAL
  • Форма вывода:C BEND
  • Температура пайки (пиковая) (°C):260
  • Код соответствия REACH:not_compliant
  • Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
  • Код JESD-30:R-PDSO-C5
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Сокетная связка:DRAIN
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.007 Ω
  • Максимальный импульсный ток вывода:300 A
  • Минимальная напряжённость разрушения:100 V
  • Рейтинг энергии лавины (Eas):80 mJ
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Максимальная потеря мощности (абс.):104 W
  • Ток насыщения:1
  • Контакты:4Pin+2Pin
  • Диаметр:35 mm

Со склада 3991

  • 1+: $1.58352
  • 10+: $1.49388
  • 100+: $1.40932
  • 500+: $1.32955
  • 1000+: $1.25429

Итого $1.58352