Изображение служит лишь для справки
SIR870ADP-T1-GE3
- Vishay Intertechnologies
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 100V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8
- Date Sheet
Lagernummer 3991
- 1+: $1.58352
- 10+: $1.49388
- 100+: $1.40932
- 500+: $1.32955
- 1000+: $1.25429
Zwischensummenbetrag $1.58352
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:5
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Indicator type:dot
- Класс защиты:IP65
- Illumination voltage:12 V
- Illuation color:redmin
- Relative humidity:45...85 %
- Номинальное напряжение:250 V
- LED operating life:≥40000 hours
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Not Recommended
- Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Описание пакета:HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8
- Максимальный ток утечки (ID):60 A
- Температура работы-Макс:150 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Код JESD-609:e3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:MATTE TIN
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:C BEND
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Код JESD-30:R-PDSO-C5
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.007 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:300 A
- Минимальная напряжённость разрушения:100 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):80 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):104 W
- Ток насыщения:1
- Контакты:4Pin+2Pin
- Диаметр:35 mm
Со склада 3991
- 1+: $1.58352
- 10+: $1.49388
- 100+: $1.40932
- 500+: $1.32955
- 1000+: $1.25429
Итого $1.58352