SI7997DP-T1-GE3

Name: Vishay Intertechnologies SI7997DP-T1-GE3
Brand: Vishay Intertechnologies
Price: 0.780182 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (14 reviews)

Vishay Intertechnologies
Транзисторы - Специального назначения
-
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 30V, 0.0078ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8
Date Sheet

Lagernummer 6581

1+： $0.78018
10+： $0.73602
100+： $0.69436
500+： $0.65506
1000+： $0.61798

Zwischensummenbetrag $0.78018

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：19 Weeks, 1 Day
Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：5
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：2
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Описание пакета：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8
Максимальный ток утечки (ID)：60 A
Температура работы-Макс：150 °C
Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Indicator type：dot
Класс защиты：IP65
Relative humidity：45...85 %
LED lifespan：≥40000 hours
Код JESD-609：e3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：MATTE TIN
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：C BEND
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Код соответствия REACH：not_compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Код JESD-30：R-XDSO-C5
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
Сопротивление открытого канала-макс：0.0078 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：100 A
Минимальная напряжённость разрушения：30 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：45 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：46 W
Ток насыщения：1
Контакты：4Pin+2Pin
Диаметр：28 mm

Со склада 6581

1+： $0.78018
10+： $0.73602
100+： $0.69436
500+： $0.65506
1000+： $0.61798

Итого $0.78018