SIR662DP-T1-GE3

Name: Vishay Intertechnologies SIR662DP-T1-GE3
Brand: Vishay Intertechnologies
Rating: 4.8 (8 reviews)

Vishay Intertechnologies
Транзисторы - Специального назначения
-
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8
Date Sheet

Lagernummer 14

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：5
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：1
LED working life：≥40000 hours
Indicator type：dot
Класс защиты：IP65
Relative humidity：45...85 %
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Not Recommended
Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Описание пакета：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8
Максимальный ток утечки (ID)：60 A
Температура работы-Макс：150 °C
Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Код JESD-609：e3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：C BEND
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Код соответствия REACH：compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Код JESD-30：R-XDSO-C5
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Сопротивление открытого канала-макс：0.0048 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：100 A
Минимальная напряжённость разрушения：60 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：80 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：104 W
Ток насыщения：1
Контакты：4Pin+2Pin
Диаметр：35 mm

Со склада 14

Итого $0.00000