SI4455DY-T1-GE3

Name: Vishay Intertechnologies SI4455DY-T1-GE3
Brand: Vishay Intertechnologies
Rating: 5 (18 reviews)

Vishay Intertechnologies
Транзисторы - Специального назначения
-
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 150V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8
Date Sheet

Lagernummer 2248

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：1
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Описание пакета：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8
Максимальный ток утечки (ID)：2.8 A
Температура работы-Макс：150 °C
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Indicator type：dot
Класс защиты：IP65
Number of switch cycles (electrical)：≥50000
Relative humidity：45...85 %
Номинальное напряжение：250 V
LED operating life：≥40000 hours
Код JESD-609：e3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Код соответствия REACH：compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Код JESD-30：R-PDSO-G8
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
Код JEDEC-95：MS-012AA
Сопротивление открытого канала-макс：0.295 Ω
Минимальная напряжённость разрушения：150 V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：5.9 W
Ток насыщения：1
Контакты：4Pin+2Pin
Диаметр：28 mm

Со склада 2248

Итого $0.00000