Изображение служит лишь для справки

SQ2337ES-T1_GE3

Lagernummer 24149

  • 1+: $0.17958
  • 10+: $0.16941
  • 100+: $0.15982
  • 500+: $0.15078
  • 1000+: $0.14224

Zwischensummenbetrag $0.17958

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Срок поставки от производителя:23 Weeks, 4 Days
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Количество терминалов:3
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Материал наружного корпуса:1
  • Type of enclosure:shielding
  • Dimension X:156.3mm
  • Dimension Y:225mm
  • Dimension Z:87mm
  • Материал корпуса:aluminium
  • Enclosure description:EMI/RFI shielding,
  • Enclosures application:designed for electronic circuits sensitive to electromagnetic interferences
  • Enclosure series:AW
  • Версия:with fixing lugs
  • Размеры:See
  • Рохс Код:Yes
  • Код цикла жизни компонента:End Of Life
  • Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
  • Максимальный ток утечки (ID):2.2 A
  • Температура работы-Макс:175 °C
  • Минимальная температура работы:-55 °C
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Форма упаковки:SMALL OUTLINE
  • Время отключения макс. (toff):39 ns
  • Время включения макс. (ton):23 ns
  • Код ECCN:EAR99
  • Положение терминала:DUAL
  • Форма вывода:GULL WING
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Нормативная Марка:AEC-Q101
  • Код JESD-30:R-PDSO-G3
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Полярность/Тип канала:P-CHANNEL
  • Код JEDEC-95:TO-236AB
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.29 Ω
  • Максимальный импульсный ток вывода:9 A
  • Минимальная напряжённость разрушения:80 V
  • Рейтинг энергии лавины (Eas):6 mJ
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Максимальная потеря мощности (абс.):3 W
  • Обратная ёмкость-Макс (Crss):38 pF

Со склада 24149

  • 1+: $0.17958
  • 10+: $0.16941
  • 100+: $0.15982
  • 500+: $0.15078
  • 1000+: $0.14224

Итого $0.17958