Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные DME914C10R
Изображение служит лишь для справки
DME914C10R
-
Panasonic Electronic Components
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
- SOT-563, SOT-666
- TRANS PREBIAS PNP/NPN SSMINI6
Date Sheet
Lagernummer 21
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Factory Lead Time：10 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：SOT-563, SOT-666
- Number of Pins：6
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：12V
- Current-Collector (Ic) (Max)：100mA 500mA
- Number of Elements：2
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Part Status：Discontinued
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN Code：EAR99
- Max Operating Temperature：150°C
- Min Operating Temperature：-55°C
- Max Power Dissipation：125mW
- Reach Compliance Code：unknown
- Base Part Number：DME914C1
- Polarity：NPN, PNP
- Element Configuration：Dual
- Power Dissipation：125mW
- Transistor Type：1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：250mV
- Max Collector Current：500mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：80 @ 5mA 10V / 270 @ 10mA 2V
- Current - Collector Cutoff (Max)：500nA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：250mV @ 500μA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)：50V 12V
- Max Breakdown Voltage：12V
- Frequency - Transition：300MHz
- Resistor - Base (R1)：4.7k Ω
- Continuous Collector Current：-500mA
- Resistor - Emitter Base (R2)：47k Ω
- Height：500μm
- Length：1.6mm
- Width：1.2mm
- RoHS Status：RoHS Compliant
Со склада 21
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты