Изображение служит лишь для справки
JANTXV2N5671
- Microchip
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-3-2
- Bipolar Transistors - BJT Power BJT
- Date Sheet
Lagernummer 2521
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:TO-3-2
- Вид крепления:Through Hole
- Поставщик упаковки устройства:TO-3
- РХОС:N
- Монтажные варианты:Through Hole
- Полярность транзистора:NPN
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:90 V
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:7 V
- Распад мощности:6 W
- Параметр частотно-уровневого продукта fT:-
- Минимальная температура работы:- 65 C
- Максимальная рабочая температура:+ 200 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:20
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE:100
- Пакетная партия производителя:1
- Пакет:Bulk
- Максимальный коллекторный ток (Ic):30 A
- Основной номер продукта:2N5671
- Mfr:Microchip Technology
- Состояние продукта:Active
- Пакетирование:Tray
- Рабочая температура:-65°C ~ 200°C (TJ)
- Серия:Military, MIL-PRF-19500/488
- Конфигурация:Single
- Мощность - Макс:6 W
- Тип транзистора:NPN
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:20 @ 20A, 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):10mA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:5V @ 6A, 30A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):90 V
- Частота - Переход:-
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):120 V
- Прямоходящий ток коллектора:30 A
Со склада 2521
Итого $0.00000