Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы DMG1024UV-7
![](https://static.whisyee.com/dimg/diodesincorporated-d1213a04v7-7850.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
DMG1024UV-7
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- SOT-563, SOT-666
- Trans MOSFET N-CH 20V 1.38A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
Date Sheet
Lagernummer 40756
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:15 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SOT-563, SOT-666
- Количество контактов:6
- Вес:3.005049mg
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Количество элементов:2
- Время отключения:26.7 ns
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2010
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:6
- Код ECCN:EAR99
- Сопротивление:10Ohm
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика:LOW THRESHOLD
- Максимальная потеря мощности:530mW
- Форма вывода:FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):40
- Основной номер части:DMG1024UV
- Число контактов:6
- Конфигурация элемента:Dual
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:530mW
- Время задержки включения:5.1 ns
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual)
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:450m Ω @ 600mA, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:60.67pF @ 16V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:0.74nC @ 4.5V
- Время подъема:7.4ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):20V
- Время падения (тип):12.3 ns
- Непрерывный ток стока (ID):1.38A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):6V
- Максимальный сливовой ток (ID):1.39A
- Напряжение пробоя стока к истоку:20V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП:Logic Level Gate
- Высота:600μm
- Длина:1.7mm
- Ширина:1.25mm
- REACH SVHC:No SVHC
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 40756
Итого $0.00000