BSD235NH6327XTSA1

Name: Infineon Technologies BSD235NH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.6 (8 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R
Date Sheet

Lagernummer 337110

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：10 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Количество контактов：6
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Время отключения：4.5 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：OptiMOS™
Опубликовано：2013
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
Максимальная потеря мощности：500mW
Форма вывода：GULL WING
Основной номер части：BSD235
Нормативная Марка：AEC-Q101
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：500mW
Время задержки включения：3.8 ns
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：350m Ω @ 950mA, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id：1.2V @ 1.6μA
Без галогенов：Halogen Free
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：63pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：0.32nC @ 4.5V
Время подъема：3.6ns
Непрерывный ток стока (ID)：950mA
Пороговое напряжение：700mV
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：12V
Максимальное напряжение питания с двумя источниками：20V
Максимальный сливовой ток (ID)：0.95A
Сопротивление открытого канала-макс：0.35Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：20V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная температура перехода (Тj)：150°C
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Высота：1mm
Длина：2mm
Ширина：1.25mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 337110

Итого $0.00000