Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SI1967DH-T1-GE3
![](https://static.whisyee.com/dimg/vishaysiliconix-si1922edht1ge3-8117.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
SI1967DH-T1-GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
Date Sheet
Lagernummer 13442
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:14 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Количество контактов:6
- Вес:28.009329mg
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:1.3A
- Количество элементов:2
- Время отключения:12 ns
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:TrenchFET®
- Опубликовано:2010
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:6
- Код ECCN:EAR99
- Сопротивление:490MOhm
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Максимальная потеря мощности:1.25W
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Основной номер части:SI1967
- Число контактов:6
- Конфигурация элемента:Dual
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:740mW
- Время задержки включения:2 ns
- Тип ТРВ:2 P-Channel (Dual)
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:490m Ω @ 910mA, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:110pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:4nC @ 8V
- Время подъема:27ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):20V
- Время падения (тип):10 ns
- Непрерывный ток стока (ID):-1A
- Пороговое напряжение:-1V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):8V
- Максимальный сливовой ток (ID):1A
- Напряжение пробоя стока к истоку:-20V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная температура перехода (Тj):150°C
- Характеристика ТРП:Logic Level Gate
- Высота:1.1mm
- REACH SVHC:Unknown
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 13442
Итого $0.00000