DMN5L06DMK-7

Name: Diodes Incorporated DMN5L06DMK-7
Brand: Diodes Incorporated
Rating: 4.7 (8 reviews)

Diodes Incorporated
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
SOT-23-6
MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-26
Date Sheet

Lagernummer 446

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：15 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SOT-23-6
Количество контактов：6
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Рабочая температура：-65°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2007
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：2.5Ohm
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Ток постоянного напряжения - номинальный：50V
Максимальная потеря мощности：400mW
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：305mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：DMN5L06DMK
Число контактов：6
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：400mW
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2 Ω @ 50mA, 5V
Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：50pF @ 25V
Непрерывный ток стока (ID)：305mA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальный сливовой ток (ID)：0.305A
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Обратная ёмкость-Макс (Crss)：5 pF
Высота：1.1mm
Длина：3mm
Ширина：1.6mm
REACH SVHC：No SVHC
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 446

Итого $0.00000