(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SI4202DY-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки
SI4202DY-T1-GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET DUAL N-CH 20V (D-S)
Date Sheet
Lagernummer 3805
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：14 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Количество контактов：8
- Поставщик упаковки устройства：8-SO
- Вес：506.605978mg
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：12.1A
- Количество элементов：2
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：TrenchFET®
- Опубликовано：2017
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Сопротивление：14MOhm
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Минимальная температура работы：-55°C
- Максимальная потеря мощности：3.7W
- Каналов количество：2
- Напряжение：30V
- Конфигурация элемента：Dual
- Текущий：75A
- Распад мощности：2.4W
- Мощность - Макс：3.7W
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：14mOhm @ 8A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：710pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：17nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Время падения (тип)：8 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：12.1A
- Пороговое напряжение：1V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Напряжение пробоя стока к истоку：30V
- Входной ёмкости：710pF
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Сопротивление стока к истоку：17mOhm
- Rds на макс.：14 mΩ
- REACH SVHC：No SVHC
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 3805
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
