Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FDA59N30
Изображение служит лишь для справки
FDA59N30
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-3P-3, SC-65-3
- MOSFET N-CH 300V 59A TO-3P
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- Factory Lead Time：7 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-3P-3, SC-65-3
- Number of Pins：3
- Weight：6.401g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：59A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：500W Tc
- Turn Off Delay Time：120 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：UniFET™
- Published：2013
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：56MOhm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Additional Feature：FAST SWITCHING
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：500W
- Turn On Delay Time：140 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：56m Ω @ 29.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：4670pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：100nC @ 10V
- Rise Time：575ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：200 ns
- Continuous Drain Current (ID)：59A
- Threshold Voltage：5V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：300V
- Nominal Vgs：5 V
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты