Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные RN1908FE(TE85L,F)
Изображение служит лишь для справки
RN1908FE(TE85L,F)
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
- SOT-563, SOT-666
- TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Date Sheet
Lagernummer 19
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：SOT-563, SOT-666
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Number of Elements：2
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2014
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Max Power Dissipation：100mW
- Power - Max：100mW
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：300mV
- Max Collector Current：100mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：80 @ 10mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：300mV @ 250μA, 5mA
- Max Breakdown Voltage：50V
- Frequency - Transition：250MHz
- Resistor - Base (R1)：22k Ω
- Resistor - Emitter Base (R2)：47k Ω
- RoHS Status：RoHS Compliant
Со склада 19
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты