Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные EMH25FHAT2R
Изображение служит лишь для справки
EMH25FHAT2R
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
- SOT-563, SOT-666
- TRANS 2NPN 100MA EMT6
Date Sheet
Lagernummer 3810
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Factory Lead Time：13 Weeks
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：SOT-563, SOT-666
- Surface Mount：YES
- Transistor Element Material：SILICON
- Current-Collector (Ic) (Max)：100mA
- Number of Elements：2
- Packaging：Cut Tape (CT)
- Series：Automotive, AEC-Q101
- Published：2016
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：6
- ECCN Code：EAR99
- Additional Feature：BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 10
- Terminal Form：FLAT
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- JESD-30 Code：R-PDSO-F6
- Configuration：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
- Power - Max：150mW
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：80 @ 10mA 5V
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：300mV @ 250μA, 5mA
- Transition Frequency：250MHz
- Frequency - Transition：250MHz
- Resistor - Base (R1)：4.7k Ω
- Resistor - Emitter Base (R2)：47k Ω
- Collector-Emitter Voltage-Max：50V
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
Со склада 3810
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты