Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные PUMH16,115
Изображение служит лишь для справки
PUMH16,115
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP
Date Sheet
Lagernummer 2953
- 1+： $0.17311
- 10+： $0.16331
- 100+： $0.15406
- 500+： $0.14534
- 1000+： $0.13712
Zwischensummenbetrag $0.17311
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Factory Lead Time：4 Weeks
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Surface Mount：YES
- Transistor Element Material：SILICON
- Current-Collector (Ic) (Max)：100mA
- Number of Elements：2
- Operating Temperature (Max.)：150°C
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2009
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：6
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Additional Feature：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 2.1
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Pin Count：6
- JESD-30 Code：R-PDSO-G6
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
- Power - Max：300mW
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：80 @ 5mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：1μA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：150mV @ 500μA, 10mA
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)：50V
- Resistor - Base (R1)：22k Ω
- Resistor - Emitter Base (R2)：47k Ω
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
Со склада 2953
- 1+： $0.17311
- 10+： $0.16331
- 100+： $0.15406
- 500+： $0.14534
- 1000+： $0.13712
Итого $0.17311
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты