Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные RN1909(T5L,F,T)
Изображение служит лишь для справки
RN1909(T5L,F,T)
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Date Sheet
Lagernummer 2979
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Supplier Device Package：US6
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Current-Collector (Ic) (Max)：100mA
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2014
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Max Power Dissipation：200mW
- Power - Max：200mW
- Transistor Type：2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：300mV
- Max Collector Current：100mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：70 @ 10mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：300mV @ 250μA, 5mA
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)：50V
- Max Breakdown Voltage：50V
- Frequency - Transition：250MHz
- Resistor - Base (R1)：47kOhms
- Resistor - Emitter Base (R2)：22kOhms
- RoHS Status：RoHS Compliant
Со склада 2979
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты