(0)
Изображение служит лишь для справки
IRG4BH20K-STRLP
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- IGBT 1200V 11A 60W D2PAK
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：13 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество контактов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：1.2kV
- Количество элементов：1
- Условия испытания：960V, 5A, 50 Ω, 15V
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2000
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Last Time Buy
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：2
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
- Дополнительная Характеристика：LOW CONDUCTION LOSS
- Максимальная потеря мощности：60W
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Конфигурация элемента：Single
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：60W
- Применение транзистора：MOTOR CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：4.3V
- Максимальный ток сбора：11A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1200V
- Время включения：51 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：4.3V @ 15V, 5A
- Время выключения (toff)：720 ns
- Зарядная мощность：28nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：22A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：23ns/93ns
- Переключаемый энергопотребление：450μJ (on), 440μJ (off)
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ：6.5V
- Время падения максимальное (tf)：400ns
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
