Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы FDY4000CZ
![](https://static.whisyee.com/dimg/diodesincorporated-d1213a04v7-7850.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
FDY4000CZ
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- SOT-563, SOT-666
- MOSFET N/P-CH 20V SC89-6
Date Sheet
Lagernummer 484
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Срок поставки от производителя:10 Weeks
- Покрытие контактов:Tin
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SOT-563, SOT-666
- Количество контактов:6
- Вес:32mg
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:600mA 350mA
- Количество элементов:2
- Время отключения:8 ns
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:PowerTrench®
- Опубликовано:2006
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:6
- Код ECCN:EAR99
- Сопротивление:700MOhm
- Дополнительная Характеристика:ESD PROTECTED
- Ток постоянного напряжения - номинальный:600V
- Максимальная потеря мощности:625mW
- Форма вывода:FLAT
- Моментальный ток:600mA
- Конфигурация элемента:Dual
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:625mW
- Мощность - Макс:446mW
- Тип ТРВ:N and P-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:700m Ω @ 600mA, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:60pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:1.1nC @ 4.5V
- Время подъема:13ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):20V
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- Время падения (тип):13 ns
- Непрерывный ток стока (ID):600mA
- Пороговое напряжение:600mV
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):8V
- Напряжение пробоя стока к истоку:-20V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП:Logic Level Gate
- Высота:500μm
- Длина:1.6mm
- Ширина:1.2mm
- REACH SVHC:No SVHC
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 484
Итого $0.00000