Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы MCH6660-TL-W
![](https://static.whisyee.com/dimg/onsemiconductor-mch6542tle-1715.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
MCH6660-TL-W
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-SMD, Flat Leads
- MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A MCPH6
Date Sheet
Lagernummer 228
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Срок поставки от производителя:7 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:6-SMD, Flat Leads
- Количество контактов:6
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:2A 1.5A
- Количество элементов:2
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Код JESD-609:e6
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:6
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- Максимальная потеря мощности:800mW
- Положение терминала:DUAL
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Конфигурация:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Тип ТРВ:N and P-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:136m Ω @ 1A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1.3V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:128pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:1.8nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss):20V
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- Непрерывный ток стока (ID):1.5A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):10V
- Максимальный сливовой ток (ID):2A
- Минимальная напряжённость разрушения:20V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП:Logic Level Gate, 1.8V Drive
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 228
Итого $0.00000