Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IXTA3N100D2
Изображение служит лишь для справки
IXTA3N100D2
-
IXYS
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Trans MOSFET N-CH 1KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
Date Sheet
Lagernummer 331
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Factory Lead Time：24 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：3A Tc
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：125W Tc
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Published：2011
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Terminal Position：SINGLE
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：not_compliant
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Case Connection：DRAIN
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：5.5 Ω @ 1.5A, 0V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1020pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：37.5nC @ 5V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：1000V
- Vgs (Max)：±20V
- Continuous Drain Current (ID)：3A
- JEDEC-95 Code：TO-263AA
- FET Feature：Depletion Mode
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
Со склада 331
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты